高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)T8-EM5的技術(shù)參數(shù)

錦正茂高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)是具備提供高低溫、真空以及磁場(chǎng)環(huán)境的高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)，它的諸多設(shè)計(jì)都是專用的。因此，高低溫磁場(chǎng)探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。例如，要求的磁場(chǎng)值，均勻區(qū)大小、均勻度大小、樣品臺(tái)的尺寸等，均于磁力線在一定區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的磁通密度相關(guān)聯(lián)；位移臺(tái)還可與磁流體密封搭配，實(shí)現(xiàn)水平方向二維移動(dòng)和樣品臺(tái)360度轉(zhuǎn)動(dòng)；除此之外，該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙極性恒流電源搭配使用戶，可以磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。因此，該類型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。

錦正茂高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)探針臺(tái)配備4個(gè)（可選6個(gè)或8個(gè)）擁有高精度位移的探針臂，同時(shí)配有高精度電子顯微鏡，便于微小樣品的觀察操作。探針可通過(guò)直流或者低頻交流信號(hào)，用來(lái)測(cè)試芯片、晶圓片、封裝器件等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、MEMS 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。

測(cè)試范圍：

磁特性測(cè)試、微波特性測(cè)試、直流、RF特性測(cè)試，微電子機(jī)械系統(tǒng)，超導(dǎo)電性測(cè)試，納米電路的光電屬性，量子點(diǎn)和線，高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。

技術(shù)指標(biāo)：

型號(hào) ：T8-EM5

真空度：高達(dá)10^-8Pa

腔體材質(zhì)：無(wú)磁不銹鋼或者鋁合金

磁場(chǎng)范圍：5000Gs@50mm

磁場(chǎng)方向 ：水平（可按用戶要求設(shè)計(jì)成豎直方向的）

配套電源：雙極性電源±70A

電源穩(wěn)定性 ：50ppm（可選10ppm）

制冷方式 ：液氦/液氮制冷/閉循環(huán)制冷機(jī)

溫度范圍 ：5K-325K可選500K

控溫分辨率：0.001K控溫儀相關(guān)

溫度穩(wěn)定性 ：優(yōu)于0.1K依賴于控溫儀

溫度傳感器 ：硅二極管/PT100/Cernox^TM

傳感器數(shù)量： 樣品臺(tái)、防輻射屏、探針臂各一個(gè)

樣品臺(tái)尺寸：（max） Φ50mm，平整度≤7μm

樣品臺(tái)固定方式： 真空硅脂/彈簧壓片

樣品臺(tái)材質(zhì)： 鍍金無(wú)氧銅

顯微鏡行程： X、Y平面2*2inch，精度1μm，Z軸行程≥50.8mm

放大倍數(shù) ：16~100X/20~4000X

真空腔觀察窗尺寸： 1.5inch

窗口材料 ：熔融石英（可選K9、氟化鈣等）

探針臂數(shù)量： 2、4、6、8可選

探針臂行程： (X-Y-Z)25mm-25mm-12mm可更換

位移精度 ：10μm /2μm/1μm/0.7μm可選

接口形式 ：普通真空接頭/三同軸接頭/BNC/SMA等

探針直徑 ：0.51mm

針尖直徑 ：10μm/5μm/1μm可選

探針材料： 鎢/GGB

供電電壓 ：AC380V 50Hz/60Hz